據業內人士稱，三安光電目前正在中國中部建設一個Mini/Micro LED研發基地，投資額為120億元人民幣（17億美元）。

消息人士表示，三安將在該研發基地展開GaN和GaAs Mini/Micro LED芯片以及4K顯示器的研發。與此同時，三安還計劃在該基地建立161萬個GaN Mini/Micro LED芯片、750,000個GaAs Mini/Micro LED芯片以及84,000個4K顯示器的年生產能力。GaN業務部門年產能將包括720,000個藍光Mini LED芯片、90,000個藍光Micro LED芯片、720,000個綠光Mini LED芯片和80,000個綠光Micro LED芯片，而GaAs業務部分年產能將包括660,000個紅光Mini LED芯片和90,000個紅光Micro LED芯片。

然而，消息人士指出，三安光電目前尚未透露何時開始生產GaN和GaAs Micro LED芯片。

此外，三安光電已經與三星電子合作，共同開發Mini/Micro LED技術。

而總部位于中國臺灣的PlayNitride，則計劃在2019年8月底開始試產多達3000片LED外延片，而三星也已選擇PlayNitride作為其Micro LED外延片的獨家供應商。