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TCL華星趙斌出席SDIA“名家大講堂”:星曜8K,綻放未來
2020-06-19

近日,由深圳市平板顯示行業協會(SDIA)主辦的“名家大講堂”直播在深圳舉行,TCL華星LCD開發中心總經理趙斌受邀出席并發表題為“創造精彩 美好視界”的演講,暢談顯示技術發展及未來趨勢。同期直播的大咖還有南方科技大學講席教授、電子與電氣工程系主任孫小衛。

趙斌指出,TCL華星在8K產品布局已取得重大突破,率先在全球最高世代線G11上開發了非晶硅VA 8K 1G1D技術,打造高穿透率、高對比度、高畫面品質的8K產品。TCL華星已于今年4月份完成55”/65”/75”60Hz 8K產品對三星等國內外一線品牌客戶的量產出貨,而120Hz 8K產品預計將于今年第四季度量產入市。

趙斌表示,技術是顯示產業最重要的驅動力。為完成8K 1G1D產品的開發,TCL華星突破非晶硅 VA工藝的8K技術瓶頸,做到8K產品規格、技術全球領先,其中穿透率和對比度高出業內競手10%的水準。

8K高穿透 Hi-HVA技術
    TCL華星Hi-HVA技術是指高穿透的像素設計及智能的算法設計,Hi-HVA技術搭載高速器件設計、快速響應的材料及工廠精準的制程,保證了8K 1G1D產品的設計及制造達到業內最高水準。

放大圖片體驗4K與8K的區別

TCL華星Hi-HVA技術和傳統技術相比有更高穿的像素設計,同時搭載TCL華星自主創新的VAC技術以及高穿透率的器件與材料開發,以綠色節能推動社會進步。

穿透率是指透過LCD的亮度與照射到物體上的總亮度之比,穿透率高可以在較低的背光亮度下達到相同的顯示亮度,以實現節能的效果;對比度高可以呈現更多的圖像細節和層次感,帶來更佳的觀影體驗。

8K高充電 1G1D技術

8K產品較4K及以下分辨率產品,面臨的最大瓶頸就是屏充電率。為提升屏充電率,傳統的HG2D技術需要將數據驅動線的數量加倍從而提升充電時間,以4K的充電時間,來實現8K,該方案的缺點是穿透率低,面板線缺陷不良率高等問題。

TCL華星為達成8K 1G1D的架構,開發了數據跟隨柵極RC延遲、掃描信號跟隨數據RC延遲、行長可變等技術,有效改善面板內柵極和數據線RC延遲帶來的影響;與此同時,使用過電壓驅動技術補償數據線電壓變化造成的充電不足,在保證充電率的情況下帶來畫質規格的提升。

8K高頻率 CSPI技術

為了實現8K的高速傳輸,TCL華星首創高頻點對點傳輸技術CSPI。CSPI既是指華星點對點傳輸協議China Star P2P I/F,又是指中國標準的點對點傳輸協議China Standard P2P I/F。CSPI 應用在從屏內的TCON時序控制到屏內的源驅動IC的接口,協議包含了編碼、解碼、擾動等技術。

TCL華星是P2P協議國家標準的起草與制定單位,CSPI作為國標協議,是國內首個自主研發/量產P2P協議。為推動8K顯示的發展,TCL華星已開發到可以支持3G2P的CSPI高速數據傳輸速率,同時,P2P傳輸方式可以降低電磁干擾,搭配低功耗低散熱設計技術,整體降低8K系統電路的復雜度。

CSPI對比傳統的mini-LVDS的接口協議,克服了mini-LVDS時鐘與數據分離的速度瓶頸,將時鐘內嵌在信號內,以很少的傳輸線,傳輸數據量更大的8K信號。

CSPI協議已經列入國家標準,是國內首個自主研發及量產的P2P技術,并且可開放給業界所有終端客戶、IC廠、面板廠使用。TCL華星突破創新,不斷推動8K產業進步。

8K高對比 MLED星曜技術

為了追求至美畫質,TCL華星積極布局MLED,首推全球領先的MLED技術,采用非晶硅背板主動驅動背光源,并成功解決產品化難題,搭配TCL華星8K 面板及自主創新Local Diming算法,實現亮暗分區精準控制,動態對比度大于一百萬。

除超高的畫質表現外,與WOLED產品相比,TCL華星的MLED產品在邊框、亮度、使用壽命等方面都更具優勢。

TCL華星相信技術創新永無止境,我們不斷突破進取,逐步建立了在全球半導體顯示領域的競爭優勢;未來,TCL華星以“全球領先”作為企業發展戰略目標,我們將不斷推陳出新,用更極致的技術、更美好的畫質擁抱顯示產業的新浪潮。

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