據湖北日報報道,3月底,位于鄂州葛店開發區的三安光電Mini/Micro LED顯示產業化項目將如期進入試生產階段。
圖片來源:國家級葛店經濟技術開發區
目前,項目1號前道芯片廠房和1號后道芯片廠房已進入裝修收尾階段。3月底,三安光電在湖北生產的首批芯片就將從這里誕生。同時,一期配套的1號倉庫、配餐食堂、綜合動力站的裝修工作也進入尾聲,部分設備已進場安裝調試。
湖北三安光電總經理李水清表示,在大家的共同努力下,不但追平一期原計劃,二期建設也已提前啟動,時間至少提前半年。
2019年7月,三安光電 Mini/Micro LED芯片產業化項目在葛店開發區正式開工。該項目總投資120億元,是湖北省打造世界光谷的支撐項目。項目建成達產后,預計氮化鎵芯片系列年產161萬片、砷化鎵芯片系列年產75萬片、4K顯示屏用封裝產品年產84000臺,產品主要供應三星、華為、蘋果等公司。
項目分二期建設,建成達產后將形成具有自主知識產權、掌握核心技術、掌握行業話語權,具有重要國際影響力的Mini/Micro LED芯片產業生產基地。
今年2月3日,項目一期舉行測試綜合樓封頂儀式。
關于三安光電
三安光電股份有限公司成立于2000年11月,于2008年7月在上海證券交易所掛牌上市(股票代碼:600703),總部坐落于素有“海上花園”之稱的廈門,產業化基地分布在廈門、天津、蕪湖、泉州等多個地區,是國家發改委批準的“國家高科技產業化示范工程”企業、工業和信息化部認定的“國家技術創新示范企業”,承擔了國家“863”、“973”計劃等多項重大課題,擁有國家人事部頒發的博士后科研工作站及國家認定的企業技術中心。
三安光電主要從事全色系超高亮度LED外延片、芯片、Ⅲ-Ⅴ族化合物半導體材料、微波通訊集成電路與功率器件、光通訊元器件等的研發、生產與銷售,產品性能指標居國際先進水平。公司憑借強大的企業實力,繼2014年擴大LED外延芯片研發與制造產業化規模、同時投資集成電路產業,建設砷化鎵高速半導體與氮化鎵高功率半導體項目之后, 2018年三安光電在福建泉州南安高新技術產業園區,斥資333億元投資Ⅲ-Ⅴ族化合物半導體材料、LED外延、芯片、微波集成電路、光通訊、射頻濾波器、電力電子、SIC材料及器件、特種封裝等產業。2022年項目建成后,三安光電將實現在半導體化合物高端領域的全產業鏈布局,公司的高新技術及生產規模邁入國際先進行列。
聯系三安光電
電話 +86-592-5937001
地址 廈門市呂嶺路1721-1725號
詳情請瀏覽:http://www.sanan-e.com
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